Samsung hat im Rahmen des Samsung Tech Day 2021 die nunmehr dritte Generation QLC-NAND-Flash mit 4 Bit pro Speicherzelle angekündigt. In Kombination mit dem 176-Layer-Dessing resultiert dies in der Samsung V7 QLC in einem deutlich höheren Arbeitstempo.
Samsung V7 QLC wird schneller
QLC-NAND mit 4 Bit pro Zelle kommt bei Samsung bereits seit drei Jahren zum Einsatz. Den Anfang nahm die Technik in der 860 QVO SSD mit 64 Layern. Nach der 870 QVO SSD mit 96 Layern überspringt Samsung einen Zwischenschritt und bietet die Samsung V7 QLC direkt mit 176 Layern an. Der Marktstart ist für das kommende Jahr angedacht.
Mit dem Wechsel auf ein 4-Plane-Design der Samsung V7 QLC soll auch eine deutliche Leistungssteigerung des Speichers einhergehen, neben der Haltbarkeit das größte Problem von QLC-NAND.
Der Schreibdurchsatz soll um das 2,7-fache, das Lesen hingegen um das 2,6-fache gegenüber dem V4 QLC gesteigert worden sein, prognostiziert Samsung. Gegenüber dem aktuellen V5 QLC soll ungefähr mit einer Verdopplung der Geschwindigkeit gerechnet werden können.
Samsung V7 QLC auch für Smartphones
Gleichzeitig will Samsung die Anwendungsgebiete des V7 QLC ausweiten und neben einer Consumer- und Enterprise-Lösung auch eine UFS-Variante (Universal Flash Storage) für Smartphones anbieten.
Vermutlich nicht in der Galaxy S22-Generation von Samsung. Denkbar wäre allerdings, dass der QLC-UFS-Speicher in Samsungs Mittelklasse-Modellen des kommenden Jahres zum Einsatz kommt.