Eigenschaften
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Datenblatt
| Allgemein | |
| Hersteller | |
| Lesetransferrate | 3500 MB/s |
| Schreibtransferrate | 2900 MB/s |
| Speicherkapazität | 512 GB |
| Ein- / Ausgabeoperationen Schreiben | 500000 IOPS |
| Ein- / Ausgabeoperationen Lesen | 460000 IOPS |
| Anschlüsse | M.2 |
| Protokoll | NVMe |
| Speichertyp | 3D-NAND TLC |
| Mittlere Betriebsdauer (MTBF) | 1500000 Stunden |
| Mitgelieferte Software | |
| Features | L1.2 Low-Power-Standby |
| Breite | 22 mm |
| Tiefe | 80 mm |
| Höhe | 2.38 mm |
| Formfaktor | M.2 |
| Energieverbrauch / Betrieb | 5.6 W |
| Garantie | 3 Jahre (für OEM) |
| Verschlüsselungsmethode | |
Kurzinfo: Samsung Semiconductor PM981 MZVLB512HBJQ - Solid-State-Disk - 512 GB - intern - M.2 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Semiconductor Hersteller Art. Nr. MZVLB512HBJQ-00000 Modell PM981 MZVLB512HBJQ EAN/UPC 8592978177553 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor PM981 MZVLB512HBJQ - Solid-State-Disk - 512 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - NVM Express (NVMe) Kapazität 512 GB Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale NVM Express (NVMe) Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale NVM Express (NVMe) Leistung Interner Datendurchsatz 3000 MBps (lesen)/ 1800 MBps (Schreiben) Maximal 4 KB Random Write 420000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 270000 IOPS Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen PCI Express 3.0 x8 (NVMe) - M.2 Card Kompatibles Schaltfeld M.2
Zuletzt aktualisiert am 18. April 2021 um 6:15.